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外部電源不要で浸漬により銀めっき皮膜が形成可能！
【自己触媒型(還元)銀めっき：ダインシルバーRD2】 ・触媒を付与した不導体(樹脂、ガラスなど）上に析出可能 ・1時間で約0.5μmの銀めっき皮膜が形成可能 ・60℃以下での使用が可能 【置換型銀めっき：ダインシルバーELシリーズ】 ・Cu、無電解Ni-P上に良好な密着性の銀めっき皮膜が析出可能 ・浴寿命が3ターンと長く、良好な経時安定性 ・酸性のめっきプロセスで、レジスト基板の表面処理へ対応可能 ・0.5μm以上の厚膜可能、生産性up！ ■ENIGなど金めっき基板のコスト低減が可能
酸性タイプの高速インジウムめっき液
Indium 9100は、高速めっきが可能な純インジウムめっき液です。 高速での部分めっきに特化し開発されたため、連続ラインでの処理が可能です。 また、強力な液の撹拌や、高電流密度の環境下でも長期に渡って安定した処理ができます。 Indium 9100はプレスフィット技術の要望にお応えします。 後にめっき皮膜を再溶融(リフロー)させる電子部品にとって理想的なプロセスです。
外部電源不要で浸漬により銀めっき皮膜が形成可能
◆置換タイプ（ダインシルバーELプロセス） ・Cu、無電解Ni-P上に良好な密着性の銀めっき皮膜が析出可能 ・浴寿命が3ターンと長く、良好な経時安定性 ・酸性のめっきプロセスで、レジストリ基板の表面処理へ対応可能 ・0.5μm以上の厚膜可能 ◆還元タイプ（ダインシルバーRDプロセス） ・触媒を付与した不導体(樹脂、ガラスなど）上に析出可能 ・1時間で約0.5μmの銀めっき皮膜が形成可能 ・60℃以下での使用が可能
レジストパターン化されたウェハ基板や高周波基板への銀めっきに対応
従来品よりもさらに高い皮膜特性要求に対応した銀めっきです。 【ダインシルバーGPE-FR1】 ・低応力タイプ ・高電流仕様 ・厚膜後も平滑性に優れた半光沢外観を維持 【ダインシルバーGPE-FR2】 ・優れた耐加熱変色性（下地Cuの拡散を抑制） ・良好な膜厚均一性 ・99.99%以上の高純度Ag皮膜を形成
